-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3S12020P | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 64.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 2600pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| GAS06520P | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 66.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 1390pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G3S06520P | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 60A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 1170pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G5S06510PT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 39A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 645pF @ 0V, 1MHz | 1.5V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G3S17005P | SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 5A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 29.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1700V | 780pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 5A | 1700V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G3S12050P | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 50A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 117A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 1200V | 7500pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 150A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G4S12020PM | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 64.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 30µA @ 1700V | 2600pF @ 0V, 1MHz | 1.6V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G4S12020P | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 64.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 2600pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G3S065100P | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 100A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 20A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 13500pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 40A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||
| G4S06515PT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 39A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 645pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 15A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100