-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MURF40020 | DIODE GEN PURP 200V 200A TO244 | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 200V | 1V @ 200A | 200V | 150ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 200A |
| MURF40010 | DIODE GEN PURP 100V 200A TO244 | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 1V @ 200A | 100V | 150ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 200A |
- 10
- 15
- 50
- 100