Диоды GeneSiC Semiconductor Three Tower | Полупроводники

RF 0
Выпрямители 456
Мостовые выпрямители 0
Стабилитроны 0
Варикапы, варакторы 0

- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 456

MBRT120200

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Прямое напряжение: 920mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRTA30080AD

DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Прямое напряжение: 1.1V @ 300A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 20µA @ 800V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT12035

DIODE MODULE 35V 60A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Прямое напряжение: 750mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MURT40010R

DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 125ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT40030R

DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Прямое напряжение: 750mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT20080(A)

DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A (DC)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT150140A

DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1400V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 150A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA500150R

DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Прямое напряжение: 880mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT20080(A)D

DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 800V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MURT40020R

DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 125ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT150160(A)D

DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1600V
- Прямое напряжение: 1.1V @ 150A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 1600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA60035L

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Прямое напряжение: 600mV @ 300A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 35V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT50045

DIODE MODULE 45V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 750mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT200140(A)D

DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1400V
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 1400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA800100

DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 840mV @ 400A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: