Диоды GeneSiC Semiconductor Three Tower | Полупроводники

RF 0
Выпрямители 456
Мостовые выпрямители 0
Стабилитроны 0
Варикапы, варакторы 0

- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 456

MBRTA40030RL

DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Прямое напряжение: 580mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 30V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT150120(A)

DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 150A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA800150R

DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Прямое напряжение: 880mV @ 400A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT60045RL

DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 600mV @ 300A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRTA500100(A)

DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 500A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 500A (DC)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA80020RL

DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Прямое напряжение: 580mV @ 400A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRT250100(A)

DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 250A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 15µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A (DC)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA50080R

DIODE SCHOTTKY 80V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRTA300120(A)D

DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A (DC)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT400100

DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 880mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT40045RL

DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 600mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT30060R

DIODE MODULE 60V 150A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Прямое напряжение: 800mV @ 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRTA80080R

DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 400A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MBRT50030

DIODE MODULE 30V 250A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Прямое напряжение: 750mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MSRTA300160(A)D

DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1600V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A (DC)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: