-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 80µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 185A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Прямое напряжение: 880mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Прямое напряжение: 880mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 120V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Прямое напряжение: 750mV @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 2.35V @ 120A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 30A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 700mV @ 80A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 80A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Прямое напряжение: 750mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 60V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 700mV @ 30A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 25A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 20µA @ 1700V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: MSP
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 25µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 136A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Прямое напряжение: 880mV @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 120V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 180V
- Прямое напряжение: 920mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 180V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100