Найдено: 86
  • DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 2.35V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 60A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 90ns
    • Ток утечки: 25µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 80A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 150V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 80A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 60A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 60V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MODULE 45V 400A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Screw Mount
    • Package / Case: SOT-227-4
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 36V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 60V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Прямое напряжение: 1V @ 120A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 30A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Прямое напряжение: 1V @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 25µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Прямое напряжение: 2.35V @ 100A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 1000V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 160A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 120V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 160A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 120A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 180V
    • Прямое напряжение: 920mV @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 180V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: