• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 42
  • S400YR
    DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 400A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 400A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GKN240/18
    DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 165A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 22mA @ 1800V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S400QR
    DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 400A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 400A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S380Z
    DIODE GEN PURP 2KV 380A DO205
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 2000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 380A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 380A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 1600V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GKR240/18
    DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 165A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 22mA @ 1800V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S300JR
    DIODE GEN PURP 600V 300A DO9
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 300A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GKN240/12
    DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 320A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 60mA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GKR240/04
    DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 320A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 60mA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S320JR
    DIODE GEN PURP 600V 320A DO9
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 320A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S320MR
    DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 320A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S400K
    DIODE GEN PURP 800V 400A DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 400A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 400A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S320QR
    DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
    • Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 320A
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -60°C ~ 180°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100