-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-203AB
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Средний выпрямленный ток (Io): 40A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 40A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-203AB
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 1.2V @ 35A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 190°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100