Полупроводники, Диоды Diodes Incorporated 2-DFN1006
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: 0402 (1006 Metric)
- Тип корпуса: 2-DFN1006
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 20µA @ 1V
- Допуск: ±7%
- Мощность - Макс.: 250mW
- Напряжение стабилизации: 2.7V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: 0402 (1006 Metric)
- Тип корпуса: 2-DFN1006
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 3µA @ 1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 250mW
- Напряжение стабилизации: 3.9V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 90 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: 0402 (1006 Metric)
- Тип корпуса: 2-DFN1006
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 100nA @ 27.3V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 250mW
- Напряжение стабилизации: 39V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 130 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100