-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3D10060A | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 30A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 600V | 480pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
| C6D10065A | 10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 37A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 611pF @ 0V, 1MHz | 1.5V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
| E4D10120A | E SERIES, 10 AMP, 1200V G4 SCHOT | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 777pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101, E | |
| C4D10120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 1200V | 754pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
- 10
- 15
- 50
- 100