Полупроводники, Диоды Comchip Technology DFN1006-2L
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 0402 (1006 Metric)
- Тип корпуса: DFN1006-2L
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 610mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 40µA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 19pF @ 10V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100