- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Серия: MAVR-0454xx
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.17pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 1800 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Sprague-Goodman
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.5pF @ 20V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Добротность @ Vr, F: 160 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 25V
- Коэфициент емкости: 6
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 15.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.3
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 5000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 7.4
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Sprague-Goodman
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, No Lead
- Тип корпуса: SMLP
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.3pF @ 20V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Добротность @ Vr, F: 600 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C12
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 26V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 28V
- Коэфициент емкости: 14.7
- Параметры коэфициента емкости: C1/C26
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SSMini2-F2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.03pF @ 25V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 34V
- Коэфициент емкости: 15
- Параметры коэфициента емкости: C2/C25
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: ESC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 2.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Коэфициент емкости: 2.6
- Параметры коэфициента емкости: C2/C8
- Добротность @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: PG-TSLP-2-1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.5pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 3.2
- Параметры коэфициента емкости: C0.5/C3
- Добротность @ Vr, F: 350 @ 2V, 50MHz
- 10
- 15
- 50
- 100