- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Stud Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Stud
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 2600 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Sprague-Goodman
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10.6pF @ 4V, 10MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Добротность @ Vr, F: 50 @ 2V, 10MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 60V
- Коэфициент емкости: 7
- Параметры коэфициента емкости: C0/C60
- Добротность @ Vr, F: 800 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: GIGAMITE®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: 0805 (2012 Metric)
- Тип корпуса: 0805
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 30V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 3800 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: SOD-523
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 32V
- Коэфициент емкости: 10
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 23.2
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 11
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.6
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 3.4
- Параметры коэфициента емкости: C0/C15
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 16V
- Коэфициент емкости: 3
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: PG-TSLP-2-1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SSMini2-F2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 2.8
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 3.9
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 4000 @ 4V, 50MHz
- 10
- 15
- 50
- 100