- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Емкость @ Vr, F
|
Коэфициент емкости
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZMV933ATA | DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323 | Diodes Incorporated | SC-76, SOD-323 | 12V | Single | Surface Mount | SOD-323 | 12pF @ 4V, 50MHz | 150 @ 4V, 50MHz | ||||
| BBY 57-02W E6327 | DIODE TUNING 10V 20MA SCD-80 | Infineon Technologies | SC-80 | 10V | Single | Surface Mount | SCD-80 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 5.5pF @ 4V, 1MHz | 4.5 | C1/C4 | ||
| BB 565-02V E7902 | DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79 | Infineon Technologies | SC-79, SOD-523 | 30V | Single | Surface Mount | PG-SC79-2 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2.2pF @ 28V, 1MHz | 11 | C1/C28 | ||
| BBY 57-02L E6327 | DIODE TUNING 10V 20MA TSLP-2 | Infineon Technologies | SOD-882 | 10V | Single | Surface Mount | PG-TSLP-2-1 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 5.5pF @ 4V, 1MHz | 4.5 | C1/C4 | ||
| GC1510-30 | SI TVAR HERMETIC PILL | Microchip Technology | Stud | 30V | Single | Stud Mount | -55°C ~ 125°C | 5.6pF @ 4V, 1MHz | 4 | C0/C30 | 2600 @ 4V, 50MHz | ||
| GC1719-192 | SI TVAR NON HERMETIC MICROSTRIP | Microchip Technology | 60V | Single | -55°C ~ 125°C | 33pF @ 4V, 1MHz | 7 | C0/C60 | 800 @ 4V, 50MHz | ||||
| GMV1542-GM1 | SI TVAR NON HERMETIC PLASTIC SMT | Microchip Technology | 0805 (2012 Metric) | 30V | Single | Surface Mount | 0805 | -55°C ~ 125°C | 0.75pF @ 30V, 1MHz | 3.4 | C0/C30 | 3800 @ 4V, 50MHz | GIGAMITE® |
| MV21010-190 | GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI | Microchip Technology | Die | 30V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 2.2pF @ 4V, 1MHz | 4.6 | C0/C30 | 4000 @ 4V, 50MHz | |
| MV20010-190 | GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI | Microchip Technology | Die | 15V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 2.2pF @ 4V, 1MHz | 3.4 | C0/C15 | 4000 @ 4V, 50MHz | |
| MV30011-P00 | GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 22V | Single | Surface Mount | Chip | -55°C ~ 175°C | 0.6pF @ 4V, 1MHz | 3.9 | C2/C20 | 4000 @ 4V, 50MHz | |
| BB179B,315 | DIODE UHF VAR CAP 32V SOD523 | NXP USA Inc. | SC-79, SOD-523 | 32V | Single | Surface Mount | SOD-523 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 2.25pF @ 28V, 1MHz | 10 | C1/C28 | ||
| MA2S37700L | DIODE VARICAP 12V 20MA SS-MINI | Panasonic Electronic Components | SC-80 | 12V | Single | Surface Mount | SSMini2-F2 | 150°C (TJ) | 1.5pF @ 10V, 1MHz | 2.8 | C2/C10 | ||
| BBY5502WH6327XTSA1 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | SC-80 | 16V | Single | Surface Mount | SCD-80 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 6.5pF @ 10V, 1MHz | 3 | C2/C10 | ||
| BB669E7904HTSA1 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | SC-76, SOD-323 | 30V | Single | Surface Mount | PG-SOD323-2 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2.9pF @ 28V, 1MHz | 23.2 | C1/C28 | ||
| GVD1404-001 | DIODE VARACTOR 10V SINGLE SOT23 | Sprague-Goodman | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 10V | Single | Surface Mount | SOT-23 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 10.6pF @ 4V, 10MHz | 50 @ 2V, 10MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100