- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRH20035R | DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 200A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5mA @ 20V | 650mV @ 200A | 35V | |||||
| MBR3535R | DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 35A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5mA @ 20V | 680mV @ 35A | 35V | -55°C ~ 150°C | ||||
| MBR3530R | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 35A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5mA @ 20V | 680mV @ 35A | 30V | -55°C ~ 150°C | ||||
| MBR75100R | DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 75A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5mA @ 20V | 840mV @ 75A | 100V | -65°C ~ 150°C | ||||
| MBRH20040RL | DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 HALF-PAK | 200A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5mA @ 40V | 600mV @ 200A | 40V | |||||
| JANTXV1N7047CCT3 | SCHOTTKY DIODE | Microchip Technology | TO-257-3 | 16A | Schottky, Reverse Polarity | Through Hole | TO-257 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 150V | 1.13 V @ 16 A | 150V | -65°C ~ 150°C | Military, MIL-PRF-19500/737 | |||
| HS18230R | DIODE SCHOTTKY 30V 180A HALFPAK | Microsemi Corporation | HALF-PAK | 180A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | HALF-PAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10mA @ 30V | 7000pF @ 5V, 1MHz | 550mV @ 180A | 30V | ||||
| JANTX1N5822.TR | 3A, 40V SCHOTTKY HR TR | Semtech Corporation | DO-201AD, Axial | 3A | Schottky, Reverse Polarity | Through Hole | DO-201AD | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 40V | 525mV @ 3A | 40V | -65°C ~ 125°C |
- 10
- 15
- 50
- 100