• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
• Тип корпуса: DO-4
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
• Средний выпрямленный ток (Io): 25A
• Прямое напряжение: 580mV @ 25A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 2mA @ 20V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: HALF-PAK
• Тип корпуса: HALF-PAK
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
• Средний выпрямленный ток (Io): 180A
• Прямое напряжение: 910mV @ 180A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 100V
• Емкость @ Vr, F: 4800pF @ 5V, 1MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: HALF-PAK
• Тип корпуса: HALF-PAK
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
• Средний выпрямленный ток (Io): 240A
• Прямое напряжение: 550mV @ 240A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 12mA @ 30V
• Емкость @ Vr, F: 10500pF @ 5V, 1MHz

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: D-67
• Тип корпуса: D-67
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
• Средний выпрямленный ток (Io): 200A
• Прямое напряжение: 840mV @ 200A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 20V

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: D-67
• Тип корпуса: D-67
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
• Средний выпрямленный ток (Io): 150A
• Прямое напряжение: 600mV @ 150A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 45V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: HALF-PAK
• Тип корпуса: HALF-PAK
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
• Средний выпрямленный ток (Io): 180A
• Прямое напряжение: 700mV @ 180A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 4mA @ 45V
• Емкость @ Vr, F: 7500pF @ 5V, 1MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/737
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-257-3
• Тип корпуса: TO-257
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
• Средний выпрямленный ток (Io): 16A
• Прямое напряжение: 1.13 V @ 16 A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 500µA @ 150V
• Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: D-67
• Тип корпуса: D-67
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
• Средний выпрямленный ток (Io): 150A
• Прямое напряжение: 600mV @ 150A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 40V

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
• Тип корпуса: DO-5
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
• Средний выпрямленный ток (Io): 60A
• Прямое напряжение: 650mV @ 60A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 20V
• Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: Three Tower
• Тип корпуса: Three Tower
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
• Прямое напряжение: 880mV @ 200A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1mA @ 20V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
• Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
• Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
• Тип корпуса: DO-5
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
• Средний выпрямленный ток (Io): 60A
• Прямое напряжение: 650mV @ 60A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 20V
• Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: Three Tower
• Тип корпуса: Three Tower
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
• Прямое напряжение: 750mV @ 150A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 1mA @ 20V
• Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
• Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
• Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: D-67
• Тип корпуса: D-67
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
• Средний выпрямленный ток (Io): 120A
• Прямое напряжение: 650mV @ 120A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 4mA @ 20V

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: D-67
• Тип корпуса: D-67
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
• Средний выпрямленный ток (Io): 200A
• Прямое напряжение: 750mV @ 200A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 20V

• Производитель: GeneSiC Semiconductor
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
• Тип корпуса: DO-5
• Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
• Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
• Средний выпрямленный ток (Io): 60A
• Прямое напряжение: 660mV @ 60A
• Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Ток утечки: 5mA @ 45V
• Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C