- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Средний выпрямленный ток (Io): 60A
- Прямое напряжение: 840mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-4
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 25V
- Средний выпрямленный ток (Io): 25A
- Прямое напряжение: 580mV @ 25A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 2mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 880mV @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 200A
- Прямое напряжение: 650mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 20V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: HALF-PAK
- Тип корпуса: HALF-PAK
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 180A
- Прямое напряжение: 700mV @ 180A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 7500pF @ 5V, 1MHz
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-4
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 25A
- Прямое напряжение: 580mV @ 25A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 2mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 4A
- Прямое напряжение: 680mV @ 4A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 2mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Средний выпрямленный ток (Io): 150A
- Прямое напряжение: 600mV @ 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 35V
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: HALF-PAK
- Тип корпуса: HALF-PAK
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 120A
- Прямое напряжение: 550mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 45V
- Емкость @ Vr, F: 5500pF @ 5V, 1MHz
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Средний выпрямленный ток (Io): 80A
- Прямое напряжение: 840mV @ 80A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Прямое напряжение: 750mV @ 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-4
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 750mV @ 35A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1.5mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 4A
- Прямое напряжение: 680mV @ 4A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 2mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 200A
- Прямое напряжение: 920mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 60A
- Прямое напряжение: 650mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
- 10
- 15
- 50
- 100