• Тип диода
  • Производитель
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 113
  • 1N5826R
    DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 15A
    • Прямое напряжение: 440mV @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR3540R
    DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 35A
    • Прямое напряжение: 680mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N6095R
    DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 25A
    • Прямое напряжение: 580mV @ 25A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBRH200150R
    DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D-67
    • Тип корпуса: D-67
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200A
    • Прямое напряжение: 920mV @ 200A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR8020R
    DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 80A
    • Прямое напряжение: 750mV @ 80A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR7520R
    DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 75A
    • Прямое напряжение: 650mV @ 75A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N6098R
    DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 50A
    • Прямое напряжение: 700mV @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5mA @ 30V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SD4145R
    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A
    • Прямое напряжение: 680mV @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SD41R
    DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A
    • Прямое напряжение: 680mV @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR8040R
    DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
    • Тип корпуса: DO-5
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 80A
    • Прямое напряжение: 750mV @ 80A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N5831R
    DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 25A
    • Прямое напряжение: 580mV @ 25A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN1N5822.TR
    3A, 40V SCHOTTKY HR TR
    Semtech Corporation
    • Производитель: Semtech Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-201AD, Axial
    • Тип корпуса: DO-201AD
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 525mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 40V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR3545R
    DIODE SCHOTTKY REV 45V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 35A
    • Прямое напряжение: 680mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR40035CTR
    DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Twin Tower
    • Тип корпуса: Twin Tower
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Прямое напряжение: 700mV @ 200A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HS243100R
    DIODE SCHOTTKY 100V 240A HALFPAK
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: HALF-PAK
    • Тип корпуса: HALF-PAK
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 240A
    • Прямое напряжение: 860mV @ 240A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 8mA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 6400pF @ 5V, 1MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100