- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: H27
- Тип корпуса: H27
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.32pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 35mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 1V
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
- Тип корпуса: TO-92
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 280mW
- Обратное пиковое напряжение: 7V
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.65pF @ 0.5V, 1MHz
- Ток, макс.: 30mA
- Обратное пиковое напряжение: 4V
-
- Производитель: onsemi
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200mW
- Обратное пиковое напряжение: 70V
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: H27
- Тип корпуса: H27
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.27pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 35mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 1V
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 15V
-
- Производитель: onsemi
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200mW
- Обратное пиковое напряжение: 30V
-
- Производитель: onsemi
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200mW
- Обратное пиковое напряжение: 30V
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: Case Style 119
- Тип корпуса: Case Style 119
- Тип диода: Schottky - Single
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 3V
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 35mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 20V
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: 0402 (1005 Metric)
- Тип корпуса: 0402
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.18pF @ 500mV, 1MHz
- Ток, макс.: 35mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 1V
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 0V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 7V
- Сопротивление @ If, F: 9Ohm @ 10.5mA, 1MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 5V
- 10
- 15
- 50
- 100