- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSMS-2828-TR2G | RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4 | Broadcom Limited | TO-253-4, TO-253AA | 15V | Schottky - 1 Bridge | SOT-143-4 | 150°C (TJ) | 1A | 1pF @ 0V, 1MHz | 12Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
| HSMS-2817-BLKG | RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT143-4 | Broadcom Limited | TO-253-4, TO-253AA | 20V | Schottky - 1 Bridge | SOT-143-4 | 150°C (TJ) | 1A | 1.2pF @ 0V, 1MHz | 15Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
| HSMS-270P-BLKG | DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT363 | Broadcom Limited | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 15V | Schottky - 1 Bridge | SOT-363 | 150°C (TJ) | 750mA | 6.7pF @ 0V, 1MHz | 825mW | 650mOhm @ 100mA, 1MHz | |
| MSS50-B46-B45 | SCHOTTKY DIODE BEAMLEAD | MACOM Technology Solutions | E45 | 3V | Schottky - 1 Bridge | E45 | -65°C ~ 150°C | 50mA | 0.13pF @ 0V, 1MHz | 100mW | MSS50-xxx-x | |
| GC9986-8JR | SI SCHOTTKY NON HERMETIC BEAM LE | Microchip Technology | 4-SMD, Flat Lead | 5V | Schottky - 1 Bridge | -65°C ~ 150°C | 0.15pF @ 0V, 1MHz | 100mW | 15Ohm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100