- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: UM7500
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: Stud
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 10W
- Обратное пиковое напряжение: 1200V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6W
- Обратное пиковое напряжение: 200V
- Сопротивление @ If, F: 3Ohm @ 10mA, 100MHz
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TA)
- Package / Case: SMD 1.83mm x 1.43mm
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.27pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 150mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 120V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 1GHz
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 3Ohm @ 100mA, 100MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 200V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 20mA, 1GHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: Axial
- Тип корпуса: Axial
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.8pF @ 50V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: SQ-MELF
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 4pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 13W
- Обратное пиковое напряжение: 2000V
- Сопротивление @ If, F: 200mOhm @ 500mA, 4MHz
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Beam Lead
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.02pF @ 10V, 10GHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 120V
- Сопротивление @ If, F: 6.5Ohm @ 20mA, 100MHz
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 2-VSFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 2-QFN (2x2)
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 200mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Сопротивление @ If, F: 550mOhm @ 100mA, 100MHz
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 1MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: 2-SMD
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5W
- Обратное пиковое напряжение: 45V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-80 Variant
- Тип корпуса: SOD-80 QuadroMELF
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Сопротивление @ If, F: 60Ohm @ 1.5mA, 100MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 100V, 1MHz
- Ток, макс.: 150mA
- Обратное пиковое напряжение: 500V
- Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 1mA, 100MHz
- 10
- 15
- 50
- 100