- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAR 90-081LS E6327 | RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-8-1 | Infineon Technologies | 8-XFDFN | 80V | PIN - 4 Independent | TSSLP-8-1 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 1V, 1MHz | 150mW | 800mOhm @ 10mA, 100MHz |
| RN142ZS8ATE61 | RF DIODE PIN 30V 8HMD | Rohm Semiconductor | HMD8 | 30V | PIN - 4 Independent | 8-HMD (1.6x0.8) | 150°C (TJ) | 50mA | 0.45pF @ 1V, 1MHz | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100