RF/IF и RFID, РЧ переключатели pSemi 16-QFN (3x3)

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Features: DC Blocked
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.65V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 50MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.85dB
• Тип переключателя: SP4T
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Reflective
• P1dB: 41.5dBm
• Частота теста: 3GHz
• IIP3: 66dBm
• Изоляция каналов: 22dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Диапазон частот: 0Hz ~ 7.5GHz
• Вносимые потери: 1dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Absorptive
• P1dB: 34dBm
• Частота теста: 7.5GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: 28dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Features: DC Blocked
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.65V ~ 2.85V
• Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.55dB
• Тип переключателя: SP4T
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Reflective
• Частота теста: 2.2GHz
• IIP3: 68dBm
• Изоляция каналов: 27.5dB

• Производитель: pSemi
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 9kHz ~ 8GHz
• Вносимые потери: 0.85dB
• Тип переключателя: SPDT
• Частота теста: 3GHz
• IIP3: 66dBm
• Изоляция каналов: -45dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 9kHz ~ 13GHz
• Вносимые потери: 1.85dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Absorptive
• Частота теста: 13GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: -17dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Диапазон частот: 0Hz ~ 7.5GHz
• Вносимые потери: 1dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Absorptive
• P1dB: 34dBm
• Частота теста: 7.5GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: 28dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 9kHz ~ 13GHz
• Вносимые потери: 2dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: ATE
• Топология: Absorptive
• Частота теста: 13GHz
• IIP3: 66dBm
• Изоляция каналов: 18dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Диапазон частот: 0Hz ~ 7.5GHz
• Вносимые потери: 1dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Absorptive
• P1dB: 34dBm
• Частота теста: 7.5GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: 28dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.65V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 50MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.5dB
• Тип переключателя: SP4T
• Тип радиосигнала: WCDMA
• Топология: Reflective
• P1dB: 37dBm
• Частота теста: 1GHz
• IIP3: 68dBm
• Изоляция каналов: 32dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.65V ~ 2.85V
• Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.45dB
• Тип переключателя: SP4T
• Тип радиосигнала: CDMA, GSM
• Частота теста: 2GHz, 1GHz
• IIP3: 68dBm
• Изоляция каналов: -29dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 700MHz ~ 3.8GHz
• Вносимые потери: 0.8dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: Cellular
• Топология: Absorptive
• Частота теста: 3GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: -44dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 100MHz ~ 6GHz
• Вносимые потери: 0.95dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: 802.11a/b/g/n/ac
• Топология: Absorptive
• Частота теста: 6GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: -41dB