RF/IF и RFID, РЧ переключатели pSemi SP4T
-
- Рабочая температура
- Топология
- Импеданс
- Вносимые потери
- Изоляция каналов
- P1dB
- Частота теста
- IIP3
- Серия
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.65V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 50MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.85dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 41.5dBm
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 66dBm
- Изоляция каналов: 22dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.55V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: WLAN
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -45dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.55V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: WLAN
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -45dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.65V ~ 2.85V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.55dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 2.2GHz
- IIP3: 68dBm
- Изоляция каналов: 27.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.55V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: ATE
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -45dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.3V
- Диапазон частот: 10Hz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 1.2dB
- Тип переключателя: SP4T
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 8GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -31dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.55V
- Диапазон частот: 10Hz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 1.2dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: ATE, ISM, PHS, UMTS, WLL
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 8GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -31dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.3V
- Диапазон частот: 10Hz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 1.2dB
- Тип переключателя: SP4T
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 8GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -31dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.65V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 50MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.5dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: WCDMA
- Топология: Reflective
- P1dB: 37dBm
- Частота теста: 1GHz
- IIP3: 68dBm
- Изоляция каналов: 32dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.65V ~ 2.85V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.45dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: CDMA, GSM
- Частота теста: 2GHz, 1GHz
- IIP3: 68dBm
- Изоляция каналов: -29dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 24-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.3V
- Диапазон частот: 30MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 1.1dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: 3G/4G
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 900MHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: 61dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100