• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Features: Single Line Control
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 6-DFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 0Hz ~ 4GHz
• Вносимые потери: 0.45dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Reflective
• P1dB: 32dBm
• Частота теста: 2GHz
• IIP3: 50dBm (min)
• Изоляция каналов: -35dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 3.1V ~ 3.5V
• Диапазон частот: 10MHz ~ 40GHz
• Вносимые потери: 5.5dB
• Тип переключателя: SPDT
• Топология: Reflective
• Частота теста: 40GHz
• IIP3: 50dBm

• Производитель: pSemi
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 12-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 12-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 5MHz ~ 6GHz
• Вносимые потери: 0.75dB
• Тип переключателя: SPDT
• Частота теста: 6GHz
• Изоляция каналов: 20dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 10V ~ 17V
• Диапазон частот: 0Hz ~ 8GHz
• Вносимые потери: 1.1dB
• Тип переключателя: SPDT
• Топология: Absorptive
• P1dB: 38dBm
• Частота теста: 6GHz
• IIP3: 62dBm
• Изоляция каналов: 42dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Features: Single Line Control
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 6-DFN (3x3)
• Импеданс: 75Ohm
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 1MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.7dB
• Тип переключателя: SPST
• Тип радиосигнала: CATV
• Топология: Absorptive
• P1dB: 30dBm
• Частота теста: 1GHz
• IIP3: 50dBm (min)
• Изоляция каналов: 63dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Features: Single Line Control
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 6-DFN (3x3)
• Импеданс: 75Ohm
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 0Hz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.7dB
• Тип переключателя: SPST
• Тип радиосигнала: CATV
• Топология: Absorptive
• P1dB: 33dBm
• Частота теста: 1GHz
• IIP3: 50dBm (min)
• Изоляция каналов: 60dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 12-WFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 12-QFN (3x3)
• Импеданс: 75Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 5MHz ~ 2.2GHz
• Вносимые потери: 0.65dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: CATV
• Топология: Absorptive
• Частота теста: 2.2GHz
• IIP3: 60dBm
• Изоляция каналов: 55dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 12-QFN (2x2)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 100MHz ~ 6GHz
• Вносимые потери: 0.9dB
• Тип переключателя: SPDT
• P1dB: 34dBm
• Частота теста: 1GHz, 6GHz
• IIP3: 73dBm
• Изоляция каналов: 42dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Features: Single/Dual Line Control
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-70-6
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 1.8V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 10MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.5dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Reflective
• P1dB: 30.5dBm
• Частота теста: 3GHz, 2GHz
• IIP3: 55dBm
• Изоляция каналов: -13dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
• Импеданс: 75Ohm
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 5MHz ~ 2.2GHz
• Вносимые потери: 1.1dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Absorptive
• P1dB: 26dBm
• Частота теста: 2.2GHz
• IIP3: 50dBm
• Изоляция каналов: -47dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Features: Single/Dual Line Control
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-70-6
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 1.8V ~ 3.3V
• Диапазон частот: 10MHz ~ 3GHz
• Вносимые потери: 0.5dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Reflective
• P1dB: 30.5dBm
• Частота теста: 2GHz
• IIP3: 55dBm
• Изоляция каналов: 20dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 14-XFBGA, FCDSBGA
• Тип корпуса: 14-FlipChip (1.1x2)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Диапазон частот: 9kHz ~ 13.5GHz
• Вносимые потери: 1.74dB
• Тип переключателя: SPDT
• Топология: Absorptive
• P1dB: 33dBm
• Частота теста: 13.5GHz
• IIP3: 56dBm
• Изоляция каналов: 26dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 32-TFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 3.3V
• Диапазон частот: 10Hz ~ 8GHz
• Вносимые потери: 1.2dB
• Тип переключателя: SP4T
• Топология: Absorptive
• P1dB: 33dBm
• Частота теста: 8GHz
• IIP3: 58dBm
• Изоляция каналов: -31dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 30MHz ~ 2.7GHz
• Вносимые потери: 0.7dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Reflective
• Частота теста: 2.7GHz
• IIP3: 81dBm
• Изоляция каналов: 24dB

• Производитель: pSemi
• Серия: UltraCMOS®, HaRP™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
• Импеданс: 50Ohm
• Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
• Диапазон частот: 9kHz ~ 13GHz
• Вносимые потери: 1.85dB
• Тип переключателя: SPDT
• Тип радиосигнала: General Purpose
• Топология: Absorptive
• Частота теста: 13GHz
• IIP3: 65dBm
• Изоляция каналов: -17dB