- Производитель
- Тип корпуса
- Диапазон частот
- Тип переключателя
-
- Рабочая температура
- Топология
- Импеданс
- Вносимые потери
- Изоляция каналов
- P1dB
- Частота теста
- IIP3
- Серия
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C
- Package / Case: 20-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-LGA (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 1.6dB
- Тип переключателя: SPDT
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 6GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: 50dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-70-6
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.65dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: CATV
- Топология: Reflective
- P1dB: 32dBm
- Частота теста: 2GHz
- IIP3: 53dBm (min)
- Изоляция каналов: 25dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 1.1dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- P1dB: 31dBm
- Частота теста: 2.2GHz
- IIP3: 55dBm
- Изоляция каналов: -52dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-LGA (4x4)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 1dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: CATV
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 3GHz
- Изоляция каналов: 63dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.4V ~ 2.8V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 1.1dB
- Тип переключателя: SP6T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- P1dB: 20dBm (min)
- Частота теста: 1.9GHz
- IIP3: 40dBm
- Изоляция каналов: 24dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Package / Case: 20-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-LGA (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 20MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 1.6dB
- Тип переключателя: SPDT
- Топология: Absorptive
- Частота теста: 6GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: 50dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-LGA (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 1.6dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm (min)
- Частота теста: 6GHz
- IIP3: 65dBm
- Изоляция каналов: 50dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 9kHz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 0.85dB
- Тип переключателя: SPDT
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 66dBm
- Изоляция каналов: -45dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.5V ~ 3V
- Диапазон частот: 9kHz ~ 6GHz
- Вносимые потери: 0.95dB
- Тип переключателя: SPDT
- P1dB: 34dBm
- Частота теста: 6GHz
- IIP3: 50dBm
- Изоляция каналов: 21dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-TFLGA Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-LGA (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.55V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 8GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SP4T
- Тип радиосигнала: ATE
- Топология: Absorptive
- P1dB: 33dBm
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 58dBm
- Изоляция каналов: -45dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.2V ~ 3.4V
- Диапазон частот: 30MHz ~ 1GHz
- Вносимые потери: 0.3dB
- Тип переключателя: SP3T
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 800MHz, 1GHz
- IIP3: 30dBm (min)
- Изоляция каналов: -38dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked, Single/Dual Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-MSOP-EP
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 10MHz ~ 3GHz
- Вносимые потери: 0.75dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Absorptive
- P1dB: 30.5dBm
- Частота теста: 3GHz
- IIP3: 59dBm
- Изоляция каналов: -43dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 2.3V ~ 5.5V
- Диапазон частот: 100MHz ~ 2.7GHz
- Вносимые потери: 0.8dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 2.7GHz
- IIP3: 76dBm
- Изоляция каналов: 24dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®, HaRP™
- Features: DC Blocked, Single Line Control
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 32-QFN (5x5)
- Импеданс: 50Ohm
- Напряжение питания: 3.2V ~ 3.4V
- Диапазон частот: 30MHz ~ 2GHz
- Вносимые потери: 0.5dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: General Purpose
- Топология: Reflective
- Частота теста: 800MHz, 2GHz
- Изоляция каналов: -29dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: pSemi
- Серия: UltraCMOS®
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 20-QFN (4x4)
- Импеданс: 75Ohm
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.3V
- Диапазон частот: 5MHz ~ 2.2GHz
- Вносимые потери: 1.1dB
- Тип переключателя: SPDT
- Тип радиосигнала: CATV
- Топология: Absorptive
- P1dB: 26dBm
- Частота теста: 2.2GHz
- IIP3: 50dBm
- Изоляция каналов: -47dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100