РЧ переключатели Nisshinbo Micro Devices Inc.

Выводить по:

Найдено: 38

Наименование	Описание	Производитель	Package / Case	Тип корпуса	Тип радиосигнала	Диапазон частот	Features	Тип переключателя	Напряжение питания	Рабочая температура	Топология	Импеданс	Вносимые потери	Изоляция каналов	P1dB	Частота теста	IIP3
NJG1532KB2-TE2	IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 6FLP-B2	Nisshinbo Micro Devices Inc.	6-SMD, Flat Leads	6-FLP-B2	GSM	50MHz ~ 3GHz		SPDT		-30°C ~ 85°C	Absorptive	50Ohm	0.5dB	27dB	24dBm	2GHz
NJG1507R-TE1	IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8VSP	Nisshinbo Micro Devices Inc.	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	8-VSP	GSM	50MHz ~ 3GHz		SPDT	2.5V ~ 5.5V	-30°C ~ 85°C	Reflective	50Ohm	0.5dB	-33dB	30dBm	2GHz
NJG1817ME4-TE1	10W HIGH POWER SPDT SWITCH	Nisshinbo Micro Devices Inc.	12-XFQFN Exposed Pad	12-EQFN (2x2)	5G	500MHz ~ 6GHz		SPDT	2.7V ~ 5V	-40°C ~ 105°C		50Ohm	0.45dB	25dB		6GHz
NJG1544HC3-TE1#	IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 10USB	Nisshinbo Micro Devices Inc.	10-WFDFN Exposed Pad	10-USB-C3 (2x1.5)	802.11b/g	0Hz ~ 2.5GHz		SPDT	2.5V ~ 5.5V	-40°C ~ 85°C	Reflective	50Ohm	0.5dB	23dB	28dBm	2.5GHz
NJG1818K75-TE1	1.0 TO 7.125 GHZ BROAD BAND SPDT	Nisshinbo Micro Devices Inc.	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1x1)	802.11a/b/n/ac/ax/WiFi	1GHz ~ 7.125GHz		SPDT	1.6V ~ 5V				0.55dB	23dB	31dBm	7.125GHz
NJG1681MD7-TE1	HIGH POWER SPDT SWITCH GAAS MMIC	Nisshinbo Micro Devices Inc.	14-XFQFN Exposed Pad	14-EQFN (1.6x1.6)	802.11p, CDMA, GSM, LTE, UMTS	6GHz	DC Blocked	SPDT	2.375V ~ 5V	-40°C ~ 105°C		50Ohm	0.45dB	20dB		6GHz	73dBm
NJG1506R-TE2#	IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8VSP	Nisshinbo Micro Devices Inc.	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	8-VSP	General Purpose	50MHz ~ 3GHz		SPDT	2.5V ~ 5.5V	-30°C ~ 85°C	Reflective	50Ohm	0.5dB	27dB	-22dBm	2GHz
NJG1608KB2-TE1	SPDT SWITCH GAAS MMIC	Nisshinbo Micro Devices Inc.	6-SMD, Flat Leads	6-FLP-B2	General Purpose	100MHz ~ 6GHz		SPDT	2.5V ~ 6.5V	-40°C ~ 85°C		50Ohm	0.6dB	18dB	30dBm	5.85GHz

Выводить по: