• Ёмкость
  • Допуск
  • Напряжение пробоя
    • Высота
    • Рабочая температура
    • ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
    • Эквивалентная индуктивность
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 236
Наименование Описание Производитель
Ёмкость
Допуск
Напряжение пробоя
Package / Case
Применение
Features
Размеры
Высота
Рабочая температура
ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
Эквивалентная индуктивность
Серия
935133424410 CAP SILICON 1000PF 15% 11V 0402 IPDiA 1000pF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Temperature High Reliability 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 250°C 100pH XTSC
935121424533 CAP SILICON 0.033UF 15% 11V 0402 IPDiA 0.033µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.004" (0.10mm) -55°C ~ 150°C 100pH LPSC
935121424510 CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0402 IPDiA 10000pF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.004" (0.10mm) -55°C ~ 150°C 100pH LPSC
935142624522 CAP SILICON 0.022UF 15% 50V 0504 IPDiA 0.022µF ±15% 50V 0504 (1210 Metric) Vertical Silicon Cap High Reliability, Low Profile 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) 0.010" (0.25mm) -55°C ~ 150°C 100pH WBSC
MA4M2020 CAP SILICON 20PF 200V SMD MACOM Technology Solutions 20pF 200V Nonstandard Chip High Reliability 0.022" L x 0.022" W (0.56mm x 0.56mm) 0.008" (0.20mm) -55°C ~ 200°C 4M
9115R0K-BOO CAP SILICON 15PF 100V SMD MACOM Technology Solutions 15pF Nonstandard Chip High Stability High Reliability 0.020" L x 0.020" W (0.51mm x 0.51mm) -55°C ~ 150°C
910R3J CAP SILICON 0.3PF 5% SMD MACOM Technology Solutions 0.3pF ±5% Nonstandard SMD High Stability 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm) 0.007" (0.18mm) -55°C ~ 150°C 91
MBC50-10B12 CAP SILICON 10PF 20% 50V SMD MACOM Technology Solutions 10pF ±20% 50V Nonstandard Chip High Stability 1.417" L x 0.512" W (36.00mm x 13.00mm) 0.179" (4.55mm) -55°C ~ 200°C MBC50
MBC50-22B12 CAP SILICON 22PF 20% 50V SMD MACOM Technology Solutions 22pF ±20% 50V Nonstandard Chip High Stability 1.417" L x 0.512" W (36.00mm x 13.00mm) 0.179" (4.55mm) -55°C ~ 200°C MBC50
935155724547-T3N CAP SILICON 0.047UF 30V 0402 Murata Electronics 0.047µF 30V 0402 (1005 Metric) High Stability High Reliability 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 150°C ULSC
939114722410-T3S CAP SILICON 1000PF 15% 30V 0201 Murata Electronics 1000pF ±15% 30V 0201 (0603 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) 0.006" (0.14mm) -55°C ~ 150°C 500 mOhms 100pH BBSC
935155424610-T3N CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402 Murata Electronics 0.1µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.017" (0.44mm) -55°C ~ 150°C 500 mOhms 100pH ULSC
935154632410-W0T CAP SILICON 1000PF 15% 50V SMD Murata Electronics 1000pF ±15% 50V Nonstandard Chip High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond High Reliability, Low Profile 0.012" L x 0.012" W (0.29mm x 0.29mm) 0.005" (0.12mm) -55°C ~ 150°C 14 mOhms 6pH UWSC
RFCS04021800BJTWS CAP SILICON 18PF 16V 0402 Vishay Electro-Films 18pF ±5% 16V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04024000DBTTS CAP SILICON 0.4PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.4pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Кремниевые (силиконовые) конденсаторы представляют собой современный тип пассивных компонентов, отличающийся высокой стабильностью параметров и надежностью работы в самых различных условиях. Благодаря использованию кремниевой подложки, такие конденсаторы демонстрируют минимальные утечки тока, низкий уровень паразитных индуктивностей и емкостей, а также отличную температурную стабильность. Это делает их идеальным выбором для высокочастотных и высокоточных электронных схем, где критически важна точность и долговечность.

Особое преимущество кремниевых конденсаторов проявляется в микросборках, СВЧ-устройствах, телекоммуникационном оборудовании и медицинской электронике. Их компактные размеры и возможность интеграции непосредственно в кристалл или на подложку позволяют создавать миниатюрные и надежные решения для сложных электронных систем. Кроме того, такие конденсаторы устойчивы к воздействию радиации и экстремальных температур, что расширяет область их применения в аэрокосмической и военной технике.

Выбирая кремниевые конденсаторы, инженеры получают компонент с длительным сроком службы, высокой повторяемостью характеристик и минимальными потерями на высоких частотах. Это оптимальный выбор для тех, кто ищет надежные решения для работы в условиях повышенных требований к стабильности и точности электронных схем.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Tolerance (Допуск) — Отклонение номинала от заданного производителем в силу технических возможностей производста, применяемых материалов и других факторов.
Capacitance (Ёмкость) — Ключевая характеристика кондестора или компонента, обладающего его свойствами — это способность накапливать электрический заряд при приложении разности потенциалов (напряжения) к полюсам компонента.
ESR (Equivalent Series Resistance) (ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)) — Сопровление, которое характеризует потери энергии в виде тепла при работе на переменном токе. R s = 1 Q ⋅ L C Rs = (1 / Q) * sqrt(L / C)
Voltage - Breakdown (Напряжение пробоя) — Напряжение, при котором диэлектрик конденсатора теряет изоляционные свойства и начинается лавинный пробой
ESL (Equivalent Series Inductance) (Эквивалентная индуктивность) — эквивалентная последовательная индуктивность — это паразитная индуктивность, которая существует в любом реальном конденсаторе наряду с его основной емкостью. Присутствует из-за физических особенностей конструкции конденсатора: выводов, внутренних соединений, формы обкладок и т.п.