• Ёмкость
  • Допуск
  • Напряжение пробоя
Найдено: 236
Наименование Описание Производитель
Ёмкость
Допуск
Напряжение пробоя
Package / Case
Применение
Features
Размеры
Высота
Рабочая температура
ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
Эквивалентная индуктивность
Серия
93512442S710 CAP SILICON 1.0UF 15% 11V 1208 IPDiA 1µF ±15% 11V 1208 (3020 Metric) Wirebond and Embedded High Reliability, Low Profile 0.118" L x 0.079" W (3.00mm x 2.00mm) 0.010" (0.25mm) -55°C ~ 200°C 100pH ETSC
935132425610 CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0603 IPDiA 0.1µF ±15% 11V 0603 (1608 Metric) High Temperature High Reliability 0.071" L x 0.043" W (1.80mm x 1.10mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 200°C 100pH HTSC
93512542F610 CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0404 IPDiA 0.1µF ±15% 11V 0404 (1010 Metric) High Temperature High Reliability, Low Profile 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) 0.010" (0.25mm) -55°C ~ 250°C 100pH EXSC
9120RK CAP SILICON 20PF 10% SMD MACOM Technology Solutions 20pF ±10% Nonstandard SMD High Stability 0.070" L x 0.070" W (1.78mm x 1.78mm) 0.010" (0.25mm) -55°C ~ 150°C 91
MA4M3030 CAP SILICON 30PF 200V SMD MACOM Technology Solutions 30pF 200V Nonstandard Chip High Reliability 0.019" L x 0.019" W (0.50mm x 0.50mm) 0.008" (0.20mm) -55°C ~ 200°C 4M
9033R0M-14-3 CAP SILICON 33PF 20% NONSTANDARD MACOM Technology Solutions 33pF ±20% Nonstandard High Stability 0.055" L x 0.036" W (1.40mm x 0.91mm) 0.004" (0.10mm) -55°C ~ 150°C 90
935146529315-W0T CAP SILICON 150PF 15% 150V SMD Murata Electronics 150pF ±15% 150V Nonstandard Chip High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond High Reliability, Low Profile 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm) 0.005" (0.12mm) -55°C ~ 150°C 50 mOhms 50pH WLSC
SC00680912 CAP SILICON 6.8PF 20% 100V SMD Skyworks Solutions Inc. 6.8pF ±20% 100V Nonstandard Chip High Temperature High Reliability 0.012" L x 0.012" W (0.30mm x 0.30mm) 0.006" (0.15mm) -65°C ~ 200°C SC
SC01500710 CAP SILICON 15PF 20% SMD Skyworks Solutions Inc. 15pF ±20% 100V Nonstandard Chip High Temperature High Reliability 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm) 0.006" (0.15mm) -65°C ~ 200°C SC
SC01000912 CAP SILICON 10PF 20% SMD Skyworks Solutions Inc. 10pF ±20% Nonstandard High Temperature High Reliability 0.012" L x 0.012" W (0.30mm x 0.30mm) 0.006" (0.15mm) -65°C ~ 200°C SC
RFCS04024700CJCT1 CAP SILICON 4.7PF 25V 0402 Vishay Electro-Films 4.7pF ±5% 25V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04029000DBTTS CAP SILICON 0.9PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.9pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04022200CJTT1 CAP SILICON 2.2PF 5% 50V 0402 Vishay Electro-Films 2.2pF ±5% 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04021500BJTT1 CAP SILICON 15PF 5% 16V 0402 Vishay Electro-Films 15pF ±5% 16V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04023000DBGWS CAP SILICON 0.3PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.3pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS

Кремниевые (силиконовые) конденсаторы представляют собой современный тип пассивных компонентов, отличающийся высокой стабильностью параметров и надежностью работы в самых различных условиях. Благодаря использованию кремниевой подложки, такие конденсаторы демонстрируют минимальные утечки тока, низкий уровень паразитных индуктивностей и емкостей, а также отличную температурную стабильность. Это делает их идеальным выбором для высокочастотных и высокоточных электронных схем, где критически важна точность и долговечность.

Особое преимущество кремниевых конденсаторов проявляется в микросборках, СВЧ-устройствах, телекоммуникационном оборудовании и медицинской электронике. Их компактные размеры и возможность интеграции непосредственно в кристалл или на подложку позволяют создавать миниатюрные и надежные решения для сложных электронных систем. Кроме того, такие конденсаторы устойчивы к воздействию радиации и экстремальных температур, что расширяет область их применения в аэрокосмической и военной технике.

Выбирая кремниевые конденсаторы, инженеры получают компонент с длительным сроком службы, высокой повторяемостью характеристик и минимальными потерями на высоких частотах. Это оптимальный выбор для тех, кто ищет надежные решения для работы в условиях повышенных требований к стабильности и точности электронных схем.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Tolerance (Допуск) — Отклонение номинала от заданного производителем в силу технических возможностей производста, применяемых материалов и других факторов.
Capacitance (Ёмкость) — Ключевая характеристика кондестора или компонента, обладающего его свойствами — это способность накапливать электрический заряд при приложении разности потенциалов (напряжения) к полюсам компонента.
ESR (Equivalent Series Resistance) (ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)) — Сопровление, которое характеризует потери энергии в виде тепла при работе на переменном токе. R s = 1 Q L C Rs = (1 / Q) * sqrt(L / C)
Voltage - Breakdown (Напряжение пробоя) — Напряжение, при котором диэлектрик конденсатора теряет изоляционные свойства и начинается лавинный пробой
ESL (Equivalent Series Inductance) (Эквивалентная индуктивность) — эквивалентная последовательная индуктивность — это паразитная индуктивность, которая существует в любом реальном конденсаторе наряду с его основной емкостью. Присутствует из-за физических особенностей конструкции конденсатора: выводов, внутренних соединений, формы обкладок и т.п.