• Ёмкость
  • Допуск
  • Напряжение пробоя
    • Высота
    • Рабочая температура
    • ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
    • Эквивалентная индуктивность
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 236
Наименование Описание Производитель
Ёмкость
Допуск
Напряжение пробоя
Package / Case
Применение
Features
Размеры
Высота
Рабочая температура
ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)
Эквивалентная индуктивность
Серия
935132424610 CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402 IPDiA 0.1µF ±15% 11V 0402 (1005 Metric) High Temperature High Reliability 0.047" L x 0.028" W (1.20mm x 0.70mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 200°C 100pH HTSC
90100RK CAP SILICON 100PF 10% 50V SMD MACOM Technology Solutions 100pF ±10% 50V Nonstandard Chip High Stability High Reliability 0.040" L x 0.040" W (1.02mm x 1.02mm) 0.010" (0.25mm) -55°C ~ 150°C 90
MBC50-3B12 CAP SILICON 3PF 20% 50V SMD MACOM Technology Solutions 3pF ±20% 50V Nonstandard Chip High Stability 1.417" L x 0.512" W (36.00mm x 13.00mm) 0.179" (4.55mm) -55°C ~ 200°C MBC50
MBC50-20B12 CAP SILICON 20PF 20% 50V SMD MACOM Technology Solutions 20pF ±20% 50V Nonstandard Chip High Stability 1.417" L x 0.512" W (36.00mm x 13.00mm) 0.179" (4.55mm) -55°C ~ 200°C MBC50
935174733610-T3A CAP SILICON 0.1UF 15% 30V 0605 Murata Electronics 0.1µF ±15% 30V 0605 (1513 Metric) High Stability, High Temperature, Wirebond and Embedded 0.063" L x 0.052" W (1.59mm x 1.32mm) 0.012" (0.30mm) -55°C ~ 200°C ATSC
935152783522-T3N CAP SILICON 0.022UF 15% 30V 0201 Murata Electronics 0.022µF ±15% 30V 0201 (0603 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.031" L x 0.024" W (0.80mm x 0.60mm) 0.017" (0.44mm) -55°C ~ 150°C 300 mOhms 100pH UBSC
935151723510-T3N CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201 Murata Electronics 10000pF ±15% 30V 0201 (0603 Metric) High Stability High Reliability, Low Profile 0.031" L x 0.024" W (0.80mm x 0.60mm) 0.017" (0.44mm) -55°C ~ 150°C 300 mOhms 100pH UBSC
SC01001518 CAP SILICON 10PF 20% SMD Skyworks Solutions Inc. 10pF ±20% Nonstandard High Temperature High Reliability 0.018" L x 0.018" W (0.46mm x 0.46mm) 0.006" (0.15mm) -65°C ~ 200°C SC
SC01500912 CAP SILICON 15PF 20% 100V SMD Skyworks Solutions Inc. 15pF ±20% 100V Nonstandard Chip High Temperature High Reliability 0.012" L x 0.012" W (0.30mm x 0.30mm) 0.006" (0.15mm) -65°C ~ 200°C SC
RFCS04022000DBTT1 CAP SILICON 0.2PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.2pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04021800BJTT1 CAP SILICON 18PF 5% 16V 0402 Vishay Electro-Films 18pF ±5% 16V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04021800CBTTS CAP SILICON 1.8PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 1.8pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04025000DBGWS CAP SILICON 0.5PF 50V 0402 Vishay Electro-Films 0.5pF ±0.1pF 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04021200BJTT1 CAP SILICON 12PF 5% 16V 0402 Vishay Electro-Films 12pF ±5% 16V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
RFCS04023000CBCT1 CAP SILICON 3PF 0402 Vishay Electro-Films 3pF ±0.1pF 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) 0.016" (0.41mm) -55°C ~ 125°C RFCS
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Кремниевые (силиконовые) конденсаторы представляют собой современный тип пассивных компонентов, отличающийся высокой стабильностью параметров и надежностью работы в самых различных условиях. Благодаря использованию кремниевой подложки, такие конденсаторы демонстрируют минимальные утечки тока, низкий уровень паразитных индуктивностей и емкостей, а также отличную температурную стабильность. Это делает их идеальным выбором для высокочастотных и высокоточных электронных схем, где критически важна точность и долговечность.

Особое преимущество кремниевых конденсаторов проявляется в микросборках, СВЧ-устройствах, телекоммуникационном оборудовании и медицинской электронике. Их компактные размеры и возможность интеграции непосредственно в кристалл или на подложку позволяют создавать миниатюрные и надежные решения для сложных электронных систем. Кроме того, такие конденсаторы устойчивы к воздействию радиации и экстремальных температур, что расширяет область их применения в аэрокосмической и военной технике.

Выбирая кремниевые конденсаторы, инженеры получают компонент с длительным сроком службы, высокой повторяемостью характеристик и минимальными потерями на высоких частотах. Это оптимальный выбор для тех, кто ищет надежные решения для работы в условиях повышенных требований к стабильности и точности электронных схем.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Tolerance (Допуск) — Отклонение номинала от заданного производителем в силу технических возможностей производста, применяемых материалов и других факторов.
Capacitance (Ёмкость) — Ключевая характеристика кондестора или компонента, обладающего его свойствами — это способность накапливать электрический заряд при приложении разности потенциалов (напряжения) к полюсам компонента.
ESR (Equivalent Series Resistance) (ЭПС (Эквиваленстное последовательное сопротивление)) — Сопровление, которое характеризует потери энергии в виде тепла при работе на переменном токе. R s = 1 Q ⋅ L C Rs = (1 / Q) * sqrt(L / C)
Voltage - Breakdown (Напряжение пробоя) — Напряжение, при котором диэлектрик конденсатора теряет изоляционные свойства и начинается лавинный пробой
ESL (Equivalent Series Inductance) (Эквивалентная индуктивность) — эквивалентная последовательная индуктивность — это паразитная индуктивность, которая существует в любом реальном конденсаторе наряду с его основной емкостью. Присутствует из-за физических особенностей конструкции конденсатора: выводов, внутренних соединений, формы обкладок и т.п.