Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 10A | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 94

SIGC12T60SNCX1SA4

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
- Td (on/off) @ 25°C: 29ns/266ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IGTM10N40A

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-204AA
- Тип корпуса: TO-3
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IGTP10N40

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGD3NB60HDT4

IGBT 600V 10A 50W DPAK

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: PowerMESH™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Время обратного восстановления (trr): 95ns
- Мощность - Макс.: 50W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
- Switching Energy: 33µJ (off)
- Gate Charge: 21nC
- Td (on/off) @ 25°C: 5ns/53ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGB5H60DF

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
- Время обратного восстановления (trr): 134.5ns
- Мощность - Макс.: 88W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
- Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
- Gate Charge: 43nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IKA06N60TXKSA1

IGBT 600V 10A 28W TO220-3

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: TrenchStop™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: PG-TO220-3-31
- Время обратного восстановления (trr): 123ns
- Мощность - Макс.: 28W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
- Switching Energy: 200µJ
- Gate Charge: 42nC
- Td (on/off) @ 25°C: 9.4ns/130ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGD7NB120ST4

IGBT 1200V 10A 55W DPAK

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: PowerMESH™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 55W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
- Switching Energy: 3.2µJ (on), 15mJ (off)
- Gate Charge: 29nC
- Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SIGC12T60SNCX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
- Td (on/off) @ 25°C: 29ns/266ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AOD5B65M1

IGBT 650V 5A TO252

Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: Alpha IGBT™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252 (DPAK)
- Время обратного восстановления (trr): 195ns
- Мощность - Макс.: 69W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
- Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
- Gate Charge: 14nC
- Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AOD5B65N1

IGBT 650V 5A TO252

Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: Alpha IGBT™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252 (DPAK)
- Время обратного восстановления (trr): 170ns
- Мощность - Макс.: 52W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
- Switching Energy: 81µJ (on), 49µJ (off)
- Gate Charge: 9.2nC
- Td (on/off) @ 25°C: 8ns/73ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SIGC11T60SNCX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
- Td (on/off) @ 25°C: 28ns/198ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGP3NB60HD

IGBT 600V 10A 50W TO220

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: PowerMESH™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Время обратного восстановления (trr): 45ns
- Мощность - Макс.: 50W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
- Switching Energy: 33µJ (off)
- Gate Charge: 21nC
- Td (on/off) @ 25°C: 5ns/53ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IGTP10N40A

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SGF5N150UFTU

IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 62.5W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1500V
- Test Condition: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
- Switching Energy: 190µJ (on), 100µJ (off)
- Gate Charge: 30nC
- Td (on/off) @ 25°C: 10ns/30ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IGTH10N50

N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218 Isolated
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: