Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) I_C(MAX) 100A

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Время обратного восстановления (trr): 80ns
• Мощность - Макс.: 595W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
• Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
• Gate Charge: 310nC
• Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Время обратного восстановления (trr): 376ns
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
• Switching Energy: 600µJ (off)
• Gate Charge: 135nC
• Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Время обратного восстановления (trr): 53ns
• Мощность - Макс.: 340W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
• Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
• Gate Charge: 230nC
• Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SP2
• Тип корпуса: SP2
• Конфигурация: Full Bridge Inverter
• Мощность - Макс.: 250W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 500W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: EconoPIM™3
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 515W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Renesas Electronics America
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247A
• Время обратного восстановления (trr): 250ns
• Мощность - Макс.: 250W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
• Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
• Gate Charge: 80nC
• Td (on/off) @ 25°C: 38ns/125ns

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
• Td (on/off) @ 25°C: 95ns/200ns

• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 400W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10nF @ 10V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Мощность - Макс.: 463W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 100A
• Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
• Gate Charge: 90nC
• Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227B
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 450W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 3.8mA
• Input: Standard
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 500W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 5mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Серия: Power-SPM™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: EPM7
• Тип корпуса: EPM7
• Конфигурация: Half Bridge
• Мощность - Макс.: 400W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.085nF @ 30V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: TrenchStop™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PG-TO247-3-1
• Мощность - Макс.: 333W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
• Switching Energy: 2.36mJ
• Gate Charge: 315nC
• Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns

• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Half Bridge
• Мощность - Макс.: 650W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 23nF @ 10V
• NTC Thermistor: No