• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 48
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
BLF6G27LS-40P,112 RF MOSFET LDMOS DL 28V LDMOST Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V SOT-1121B LDMOS (Dual), Common Source 17.5dB 28V 450mA
BLF6G27L-40P,118 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V SOT-1121A LDMOS (Dual), Common Source 17.5dB 28V 450mA
BLF25M612,112 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B Ampleon USA Inc. CDFM2 12W 2.45GHz 65V SOT-975B LDMOS 19dB 28V 10mA
MRF7S38075HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 12W 3.4GHz ~ 3.6GHz 65V NI-780S LDMOS 14dB 30V 900mA
MRF5S19060MR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V 10µA TO-270AB LDMOS 14dB 28V 750mA
MAGX-000035-05000P FET RF 65V 1MHZ 14DFN MACOM Technology Solutions 14-DFN (3x6) 12W 1MHz 65V 3mA 14-VDFN Exposed Pad HEMT 14dB 50V 100mA
MRF7S38075HSR5 FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S NXP USA Inc. NI-780S 12W 3.4GHz ~ 3.6GHz 65V NI-780S LDMOS 14dB 30V 900mA
MRF5S19060NBR1 FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF5S19060MBR1 FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF7S38075HSR3 FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S NXP USA Inc. NI-780S 12W 3.4GHz ~ 3.6GHz 65V NI-780S LDMOS 14dB 30V 900mA
MRF6S19060NBR1 FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
MRF5S19060NR1 FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-270AB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF6S19060GNR1 FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW NXP USA Inc. TO-270-2 GULL 12W 1.93GHz 68V TO-270BA LDMOS 16dB 28V 610mA
MRF5S19060MR1 FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-270AB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF6S19060NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100