• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
AS7C4098A-15TINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Alliance Memory, Inc. Surface Mount SRAM Volatile 4Mb (256K x 16) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 44-TSOP2 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 15ns Parallel 15ns
S25FL064LABMFM013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 108MHz Non-Volatile 64Mb (8M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 125°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) SPI - Quad I/O, QPI Automotive, AEC-Q100, FL-L
71V424L12PH IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II IDT, Integrated Device Technology Inc Surface Mount SRAM Volatile 4Mb (512K x 8) 3V ~ 3.6V SRAM - Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 44-TSOP II 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 12ns Parallel 12ns
IS25LX064-JHLA3 IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount FLASH 133MHz Non-Volatile 64Mb (8M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH -40°C ~ 125°C (TA) 24-TFBGA (6x8) 24-TBGA SPI - Octal I/O
IS43TR82560B-125KBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 800MHz Volatile 2Gb (256M x 8) 1.425V ~ 1.575V SDRAM - DDR3 -40°C ~ 95°C (TC) 78-TWBGA (8x10.5) 78-TFBGA 20ns Parallel 15ns
IS42SM16400K-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 166MHz Volatile 64Mb (4M x 16) 3V ~ 3.6V SDRAM - Mobile -40°C ~ 85°C (TA) 54-TFBGA (8x8) 54-TFBGA 5.5ns Parallel
IS42S32800D-6BLI IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 166MHz Volatile 256Mb (8M x 32) 3V ~ 3.6V SDRAM -40°C ~ 85°C (TA) 90-TFBGA (8x13) 90-TFBGA 5.4ns Parallel
MX30UF1G28AD-XKI IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA Macronix Surface Mount FLASH Non-Volatile 1Gb (128M x 8) 1.7V ~ 1.95V FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) 63-VFBGA (9x11) 63-VFBGA 22ns ONFI 25ns
25AA1024T-I/SM IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIJ Microchip Technology Surface Mount EEPROM 20MHz Non-Volatile 1Mb (128K x 8) 1.8V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOIJ 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) SPI 6ms
AT24C16D-PUM IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8DIP Microchip Technology Through Hole EEPROM 1MHz Non-Volatile 16Kb (2K x 8) 1.7V ~ 3.6V EEPROM -40°C ~ 85°C (TC) 8-PDIP 8-DIP (0.300", 7.62mm) 450ns I²C 5ms
AT27LV512A-70JI IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC Microchip Technology Surface Mount EPROM Non-Volatile 512Kb (64K x 8) 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V EPROM - OTP -40°C ~ 85°C (TC) 32-PLCC (13.97x11.43) 32-LCC (J-Lead) 70ns Parallel
MT29F128G08EBEBBWP:B TR IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP Micron Technology Inc. Surface Mount FLASH Non-Volatile 128Gb (16G x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NAND 0°C ~ 70°C (TA) 48-TSOP I 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Parallel
CAT24C64YI-GT3 IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP onsemi Surface Mount EEPROM 1MHz Non-Volatile 64Kb (8K x 8) 1.7V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C (TA) 8-TSSOP 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 400ns I²C 5ms
70T659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 4.5Mb (128K x 36) 2.4V ~ 2.6V SRAM - Dual Port, Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 208-PQFP (28x28) 208-BFQFP 12ns Parallel 12ns
CY14B104L-BA25XC IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA Rochester Electronics, LLC Surface Mount NVSRAM Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 2.7V ~ 3.6V NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 0°C ~ 70°C (TA) 48-FBGA (6x10) 48-TFBGA 25ns Parallel 25ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.