Найдено: 34
  • SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
    Omron Electronics Inc-EMC Div
    • Производитель: Omron Electronics Inc-EMC Div
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
    • Package / Case: PCB Mount
    • Response Time: 10µs, 10µs
    • Управляющий выход: Phototransistor
    • Принцип действия: Through-Beam
    • Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD
    Sharp Microelectronics
    • Производитель: Sharp Microelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
    • Package / Case: 4-SMD
    • Response Time: 50µs, 50µs
    • Управляющий выход: Phototransistor
    • Принцип действия: Through-Beam
    • Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
    • Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 100°C
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Response Time: 7µs
    • Управляющий выход: Phototransistor
    • Принцип действия: Through-Beam
    • Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
    Sharp Microelectronics
    • Производитель: Sharp Microelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
    • Package / Case: PCB Mount
    • Response Time: 50µs, 50µs
    • Управляющий выход: Phototransistor
    • Принцип действия: Through-Beam
    • Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
    • Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: