Найдено: 1084935
  • IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440217
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440217
    • Тип корпуса: 440217
    • Частота: 5.2GHz ~ 5.9GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 450W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 11.2dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 24A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DEVELOPMENT TOOLS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH 1.8V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1244B
    • Тип корпуса: CDFM6
    • Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 35W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 280W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH 2.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 40V DIE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 18GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 6W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET RF N-CH 1000V 8A T1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: T-1
    • Тип корпуса: T-1
    • Частота: 40.7MHz
    • Номинальное напряжение: 1000V
    • Выходная мощность: 750W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 400V
    • Номинальный ток: 8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-4/2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 32W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 340W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIP NPN 0.4A 30V
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 15V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: PG-HB2SOF-8-1
    • Тип корпуса: PG-HB2SOF-8-1
    • Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 850mA
    • Выходная мощность: 57W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: