• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 60 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: SST4391
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Vishay Siliconix
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: TO-236
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 85 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 300 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока макс (Id): 10 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 38 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 75 Ohms