Найдено: 68
  • SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70 (SOT323)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 20V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA
    • Сопротивление канала (On): 10 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-USFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 30mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH FREQUENCY N-CHANNEL JFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 20MA 200MW SCP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: 3-CP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH FREQUENCY N-CHANNEL JFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: VTFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH FREQUENCY N-CHANNEL JFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-623F
    • Тип корпуса: SOT-623F
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 20V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 30V 0.35W TO-92
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: