- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 40V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 25W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 12.5V
- Номинальный ток: 7A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 40V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 3W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 12.5V
- Номинальный ток: 2.5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 25V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 11.5dB
- Voltage - Test: 7.5V
- Номинальный ток: 5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 40V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 25W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 12.5V
- Номинальный ток: 7A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: STripFET™ III
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 24V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7055pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: STripFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 175nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 210W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±15V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 2W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 250mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 945MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 18W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 2.5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 25V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 3W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 7.5V
- Номинальный ток: 4A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 945MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.3dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 7A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 2W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 250mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 40V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 3W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 12.5V
- Номинальный ток: 2.5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 945MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 30W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 4A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 40V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 12.5V
- Номинальный ток: 4A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Тип корпуса: 10-PowerSO
- Частота: 945MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.3dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 7A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100