FET, MOSFET мощность 100W | Транзисторы

Выходная мощность
Производитель
Тип корпуса
Номинальное напряжение
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 84

BLF4G20S-110B,112

FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-502B
- Тип корпуса: SOT502B
- Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 700mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 12A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA181001FV4R250FTMA1

IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37248-2
- Частота: 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MRF5S9101MBR1

FET RF 68V 960MHZ TO2724

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 700mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.5dB
- Voltage - Test: 26V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BLP15M9S100GZ

BLP15M9S100G/SOT1483/REELDP

Ampleon USA Inc.
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Серия: BLP
- Package / Case: SOT-1483-1
- Тип корпуса: SOT1483-1
- Частота: 1.4GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 32V
- Номинальный ток: 1.4µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NPT2022

HEMT N-CH 48V 100W DC-2GHZ

MACOM Technology Solutions
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Package / Case: TO-272BC
- Тип корпуса: TO-272-2
- Частота: 0Hz ~ 2GHz
- Номинальное напряжение: 160V
- Current - Test: 600mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 14A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MRF275L

FET RF 65V 500MHZ 333-04

MACOM Technology Solutions
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Package / Case: 333-04
- Тип корпуса: 333-04, Style 2
- Частота: 500MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 8.8dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 13A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA181001EV4R250XTMA1

IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-36248-2
- Частота: 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SD56120

FET RF 65V 860MHZ M246

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: M246
- Тип корпуса: M246
- Частота: 860MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 400mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 14A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MRF6S18100NBR1

RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272

Freescale Semiconductor
- Производитель: Freescale Semiconductor
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ARF463AG

RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Частота: 81.36MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 125V
- Номинальный ток: 9A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BLS2933-100,112

RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A

Ampleon USA Inc.
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: SOT-502A
- Тип корпуса: SOT502A
- Частота: 2.9GHz ~ 3.3GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 20mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 8dB
- Voltage - Test: 32V
- Номинальный ток: 12A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ARF463AP1G

RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Частота: 81.36MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 125V
- Номинальный ток: 9A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA181001FV4XWSA1

IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37248-2
- Частота: 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MRF177

FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01

MACOM Technology Solutions
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Package / Case: 744A-01
- Тип корпуса: 744A-01, Style 2
- Частота: 400MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 16A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CLF1G0035-100

CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: SOT-467C
- Тип корпуса: SOT467C
- Частота: 3.5GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 330mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

	Значение	Кол‑во
	333-04, Style 2 ⇒	2
	440162 ⇒	4
	440199 ⇒	2
	744A-01, Style 2 ⇒	1
	H-30275-4 ⇒	1
	H-36248-2 ⇒	2
	H-37248-2 ⇒	2
	H-37248C-4 ⇒	2
	LDMOST ⇒	7
	M246 ⇒	2
	NI-1230 ⇒	1
	NI-1230S ⇒	2
	NI-360H-2SB ⇒	1
	NI-780-4 ⇒	2
	NI-780S-4L ⇒	2
	OM-780-4L ⇒	2
	OM-780G-4L ⇒	3
	PG-63248-2 ⇒	2
	PG-64248-2 ⇒	2
	SOT-1482-1 ⇒	2
	SOT1483-1 ⇒	2
	SOT-467B ⇒	3
	SOT467C ⇒	6
	SOT502A ⇒	1
	SOT502B ⇒	3
	TO-247 ⇒	8
	TO-270-2 ⇒	1
	TO-270 WB-4 ⇒	5
	TO-272-2 ⇒	1
	TO-272 WB-14 ⇒	1
	TO-272 WB-4 ⇒	5

Тип корпуса (31)