• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 84
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 869MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1228A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 23.5dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 330mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467B
    • Тип корпуса: SOT-467B
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 330mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLP15H9S100/SOT1482/REELDP
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1482-1
    • Тип корпуса: SOT-1482-1
    • Частота: 1.5GHz
    • Номинальное напряжение: 106V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 28V 440199
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440199
    • Тип корпуса: 440199
    • Частота: 0Hz ~ 4GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 28A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1228B
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502B
    • Тип корпуса: SOT502B
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 650mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.4dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780G-4L
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: OM-780G-4L
    • Тип корпуса: OM-780G-4L
    • Частота: 920MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 860mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 70V
    • Current - Test: 2.4A
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.4dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 4.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 330mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1228A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 330mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: