Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Micro Commercial Co SOT-23
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 400mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 226pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 340mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 6V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.25W
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 6V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.25W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100