Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Micro Commercial Co SOT-23

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 34
  • BSS123-TP
    N-CHANNELMOSFETSOT-23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3401A-TP
    P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2303-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 226pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2321-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7002KA-TP
    N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 340mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3407-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3420-TP
    MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3415A-TP
    P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2301A-TP
    P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.25W
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS138-TP
    N-CHANNELMOSFETSOT-23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2305-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3404-TP
    MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2307-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2301-TP
    MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.25W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3402-TP
    MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100