- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: SIPMOS®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: PG-TO220-3-1
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: Micro6™(TSOP-6)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PG-TO247-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: PG-TO220-FP
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 28W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: PG-TO252-3-313
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6580pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 88W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™ C6
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: PG-TO252-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 28.4W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: PQFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Тип корпуса: PG-TO262-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 93µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 158W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: PG-TSOP-6-6
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.3A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 30µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1401pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5890pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100