• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: Power-SPM™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: EPM15
• Тип корпуса: EPM15
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 65A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V

• Производитель: Fairchild Semiconductor

• Производитель: Fairchild Semiconductor

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: PowerTrench®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 12-PowerWDFN
• Тип корпуса: 12-Power3.3x5
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
• Мощность - Макс.: 1W

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: PowerTrench®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
• Тип корпуса: SuperSOT™-8
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 800mW

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: PowerTrench®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 900mW

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 12-PowerWDFN
• Тип корпуса: 12-Power3.3x5
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A, 17A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2.1W

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.34A (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 24V
• Мощность - Макс.: 730mW (Ta)

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 900mW

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: PowerTrench®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Тип корпуса: 8-TSSOP
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 1W (Ta)

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: PowerTrench®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
• Тип корпуса: TO-252-4
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 1.3W

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 900mW (Ta)

• Производитель: Fairchild Semiconductor

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 900mW

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Серия: PowerTrench®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 18-WFBGA
• Тип корпуса: 18-BGA (2.5x4)
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.6A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 2.1W