• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• Тип корпуса: TO-262
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 278W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SC-70-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.82nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: aMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 208W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 106A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3010pF @ 75V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: aMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• Тип корпуса: TO-262
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 198W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (D²Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3142pF @ 40V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaMOS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 46A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1187pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220-3F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaMOS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 36A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3440pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 39W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220-3F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 41W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
• Напряжение затвора (макс): ±25V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220-3F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1477pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 43W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Тип корпуса: 8-TSSOP
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 1.5W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (D2Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1935pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 208W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V