• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 28W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: SDMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 42A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.92W (Ta), 150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±25V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4560pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 268W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±16V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 6-DFN-EP (2x2)
• Тип канала: P-Channel
• FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.8W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
• Тип корпуса: 8-DFN (2.9x2.3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 10-SMD, No Lead
• Тип корпуса: 10-AlphaDFN (2.98x1.49)
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 5A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
• Мощность - Макс.: 3.1W (Ta)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 34A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1835pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 28W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• Тип корпуса: TO-251-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 56.8W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V