• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: SDMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
• Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1229pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 6W (Ta), 25W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SC-70-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 101pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
• Напряжение затвора (макс): ±25V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 1.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 306pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 78W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220-3F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3607pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 12A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 21W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-89, SOT-490
• Тип корпуса: SC-89-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 280mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaSGT™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 27.5W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: aMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (D²Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 178W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220-3F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 27W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 25W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 40A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4195pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 368W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: aMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220-3F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 38W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V