Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения в корпусе Mini3-G3-B | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 60

DRA2143X0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2114W0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRA2523E0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2643T0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRA2123Y0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRA2115E0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2123J0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRA2152Z0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 510Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 5.1kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2144E0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2115T0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRA2114T0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRA2143Z0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2523Y0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2115E0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DRC2113Z0L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: Mini3-G3-B
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: