Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения в корпусе CST3 | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 52

RN2103ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2112ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1109ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2110ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2106ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1102ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1103CT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2109CT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1112ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2101ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1113CT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1106ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2111ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1101ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1112CT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: