• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SOT-323
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 40mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 1kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-666
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Граничная частота: 300MHz
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-75, SOT-416
• Тип корпуса: SC-75
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 800mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SMT3; MPAK
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SMT3; MPAK
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: DFN1006B-3
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Граничная частота: 230MHz
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: DFN1006B-3
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Граничная частота: 180MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Мощность - Макс.: 1.5W
• Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA, 3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 20V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
• Граничная частота: 100MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-75, SOT-416
• Тип корпуса: SC-75
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Граничная частота: 230MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SMT3; MPAK
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 22kOhms