• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SC-59
• Мощность - Макс.: 230mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 47kOhms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-723
• Тип корпуса: VESM
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
• Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: DFN1412D-3
• Мощность - Макс.: 360mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 230MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-666
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Серия: DTC123J
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-89, SOT-490
• Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: 6-TSSOP
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SSMini6-F3-B
• Мощность - Макс.: 125mW
• Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 22kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор базы (R1): 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 33 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 1kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SOT-723
• Тип корпуса: SSSMini3-F2-B
• Мощность - Макс.: 100mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-75, SOT-416
• Тип корпуса: EMT3
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 22kOhms

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92S
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 1µA
• Резистор базы (R1): 47kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms